Datasheet > D2200N22T VF

D2200N22T VF

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		整流二极管
页数	文件大小	规格书
8页	238K
描述
D2200N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 26mm。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D2200N22T VF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2200N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

2000 V

2200 V

2400 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

4900 A

maximum RMS on-state current

T_C= 100 °C

Dauergrenzstrom

2200 A

3150 A

average on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

average on-state current

4950 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

41000 A

35000 A

8405 10³A²s

6125 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 9,4 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2,0 kA

v_F

max.

2,3 V

1,2 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,83 V

mΩ

0,145

Ersatzwiderstand

slope resistance

-4,860E-01

1,750E-04

2,311E-01

-9,977E-03

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

600 A ≤ i_F≤ 11000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

150 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,0169 °C/W

max. 0,0160 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

beidseitig / two-sided

max.

°C/W

0,0050 °C/W

einseitig / single-sided

160

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

-40...+160 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2009-06-15

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

A 18/09

1/8

IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann

Seite/page

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与D2200N22T VF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D2200N24T VF	INFINEON	获取价格	D2200N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 2
D2200N24TVFHOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2200A, 2400V V(RRM), Silicon,
D2201	SEME-LAB	获取价格	METAL GATE RF SILICON FET
D22012B	NKK	获取价格	General Specifications
D22012H	NKK	获取价格	General Specifications
D22012LB	NKK	获取价格	General Specifications
D22012LH	NKK	获取价格	General Specifications
D22012LP	NKK	获取价格	General Specifications
D22012LV	NKK	获取价格	General Specifications
D22012P	NKK	获取价格	General Specifications

与D2200N22T VF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D2200N22T VF

D2200N22T VF 数据手册

与D2200N22T VF相关器件

与D2200N22T VF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D2200N22T VF

D2200N22T VF 数据手册

与D2200N22T VF相关器件

与D2200N22T VF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？