是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 350 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.084 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 128 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Other Memory ICs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
D218E | MPD | Low Cost, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters |
获取价格 |
|
D218EI | MPD | Low Cost, 2W SIP High Isolation DC/DC Converters |
获取价格 |
|
D218ERU | MPD | Low Cost, 4:1 Input Miniature, 2W SIP DC/DC Converters |
获取价格 |
|
D218ERW | MPD | Low Cost, Miniature 2W SIP, Wide Input DC/DC Con vert ers |
获取价格 |
|
D218RW | MPD | Miniature SIP, 2W Wide Input Range DC/DC Converters |
获取价格 |
|
D219ERU | MPD | Low Cost, 4:1 Input Miniature, 2W SIP DC/DC Converters |
获取价格 |