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D1011UK

更新时间： 2024-09-18 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 射频
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D1011UK 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.04其他特性：LOW NOISE
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

D1011UK 数据手册

 浏览型号D1011UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D1011UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
A
N
8
1
2
3
4
D
7
6
5
C
B
P
10W – 28V – 1GHz  
SINGLE ENDED  
H
K
FEATURES  
M
L
J
E
F
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
G
SO8 PACKAGE  
• VERY LOW C  
PIN 1 – SOURCE  
PIN 2 – DRAIN  
PIN 3 – DRAIN  
PIN 4 – SOURCE  
PIN 5 – SOURCE  
PIN 6 – GATE  
rss  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
PIN 7 – GATE  
PIN 8 – SOURCE  
Dim.  
A
B
C
D
E
F
G
mm  
4.06  
5.08  
1.27  
0.51  
3.56  
4.06  
1.65  
Tol.  
Inches  
0.160  
0.200  
0.050  
0.020  
0.140  
0.160  
0.065  
Tol.  
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
+0.25  
-0.00  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
±0.08  
Max.  
±0.08  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
+0.010  
-0.000  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
±0.003  
Max.  
±0.003  
APPLICATIONS  
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 1 GHz  
H
0.76  
0.030  
0.51  
1.02  
45°  
0°  
0.020  
0.040  
45°  
0°  
7°  
0.008  
0.086  
0.180  
J
K
L
7°  
M
N
P
0.20  
2.18  
4.57  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
30W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
70V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
5A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Prelim. 1/96  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D10120JP0-PB VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 5%, 200ppm, 12ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D101213FP0-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 121000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D101214FP0-PB VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 1210000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHI
D101241FP0-PB VISHAY

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D-101-31 PANDUIT

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 		SOLDERSLEEVE SHIELD TERMINATOR

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