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CZTA44HC

更新时间： 2024-11-13 22:06:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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CZTA44HC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

CZTA44HC 数据手册

 浏览型号CZTA44HC的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CZTA44HC  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON HIGH CURRENT  
HIGH VOLTAGE  
DESCRIPTION:  
TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA44HC  
type is a surface mount epoxy molded silicon  
planar epitaxial transistors designed for  
extremely high voltage and high current  
applications.  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Current (PeaK)  
Power Dissipation  
V
V
V
450  
400  
7.0  
2.0  
3.0  
2.0  
V
V
V
A
A
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
stg  
65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:  
(
=25°C unless otherwise noted)  
TA  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=400V  
=5.0V  
500  
500  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
BE  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
h
I =50µA  
450  
400  
7.0  
C
I =1.0mA  
C
I =50µA  
EBO  
E
I =500mA, I =50mA  
0.25  
0.50  
1.5  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
B
B
I =2.0A, I =200mA  
C
I =1.0A, I =1.0mA  
1.5  
C
V
=10V, I =10mA  
35  
35  
30  
15  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =500mA  
C
=10V, I =1.0A  
C
C
C
E
=10V, I =2.0A  
=10V, I =10mA, f=10MHz  
=20V, I =0, f=1.0MHz  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
f
C
C
10  
MHz  
pF  
pF  
30  
1000  
ob  
ib  
C
R1 ( 25-June 2001)  
12

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