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Datasheet > 电信电路 > ATM/SONET/SDH 集成电路> CYS25G0101DX
CYS25G0101DX PDF预览

CYS25G0101DX

更新时间： 2024-01-21 03:49:58
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
15页 214K
描述
SONET OC-48 Transceiver

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CYS25G0101DX 技术参数

生命周期：Active包装说明：BGA, BGA100,10X10,40
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
JESD-30 代码：S-PBGA-B100端子数量：100
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA100,10X10,40封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY电源：1.5,3.3 V
认证状态：Not Qualified子类别：ATM/SONET/SDH ICs
表面贴装：YES技术：BICMOS
电信集成电路类型：ATM/SONET/SDH TRANSCEIVER温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

CYS25G0101DX 数据手册

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CYS25G0101DX  
Maximum Ratings  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Power-up Requirements  
Power supply sequencing is not required if you are configuring  
VDDQ=3.3volts and all power supplies pins are connected to  
the same 3.3 volt power supply.  
Storage Temperature .................................–65°C to +150°C  
Ambient Temperature with  
Power Applied.............................................–55°C to +125°C  
Power supply sequencing is required if you are configuring  
VDDQ=1.5volts. Power must be applied in the following  
sequence: VCC (3.3) followed by VDDQ (1.5). Power supply  
ramping may occur simultaneously as long as the VCC/VDDQ  
relationship is maintained.  
VCC Supply Voltage to Ground Potential ....... –0.5V to +4.2V  
VDDQ Supply Voltage to Ground Potential ..... –0.5V to +4.2V  
DC Voltage Applied to HSTL Outputs  
in High-Z State .....................................–0.5V to VDDQ + 0.5V  
DC Voltage Applied to Other Outputs  
in High-Z State .......................................–0.5V to VCC + 0.5V  
Operating Range  
Output Current into LVTTL Outputs (LOW)..................30 mA  
Ambient  
Range  
Temperature  
VDDQ  
VCC  
DC Input Voltage....................................–0.5V to VCC + 0.5V  
Commercial 0°C to +70°C 1.4V to 1.6V[4] 3.3V ± 10%  
Static Discharge Voltage...........................................> 1100V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
Industrial  
–40°C to +85°C 1.4V to 1.6V[4] 3.3V ± 10%  
Latch-up Current.....................................................> 200 mA  
Table 1. DC Specifications—LVTTL  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
Min.  
2.4  
Max.  
Unit  
LVTTL Outputs  
VOHT  
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
VCC = Min., IOH = –10.0 mA  
VCC = Min., IOL = 10.0 mA  
VOUT = 0V  
V
V
VOLT  
0.4  
IOS  
Output Short Circuit Current  
–20  
–90  
mA  
LVTTL Inputs  
VIHT  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
Input HIGH Current  
Input LOW Current  
Low = 2.1V, High = VCC + 0.5V  
Low = –3.0V, High = 0.8  
VCC = Max., VIN = VCC  
VCC = Max., VIN = 0V  
2.1  
VCC – 0.3  
0.8  
V
V
VILT  
–0.3  
IIHT  
50  
µA  
µA  
IILT  
–50  
Capacitance  
CIN  
Input Capacitance  
VCC = Max., @ f = 1 MHz  
5
pF  
Table 2. DC Specifications—Power  
Parameter  
Power  
ICC1  
Description  
Test Conditions  
Typ.  
Max.  
Unit  
Active Power Supply Current  
Standby Current  
300  
347  
5
mA  
mA  
ISB  
[5]  
Table 3. DC Specifications—Differential LVPECL Compatible Inputs (REFCLK)  
Parameter  
VINSGLE  
Description  
Input Single-ended Swing  
Input Differential Voltage  
Highest Input HIGH Voltage  
Lowest Input LOW Voltage  
Input HIGH Current  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
mV  
mV  
V
200  
400  
600  
1200  
VDIFFE  
VIEHH  
VIELL  
VCC – 1.2  
VCC – 2.0  
VCC – 0.3  
VCC – 1.45  
750  
V
IIEH  
VIN = VIEHH Max.  
VIN = VIELL Min.  
µA  
µA  
IIEL  
Input LOW Current  
–200  
Capacitance  
CINE  
Input Capacitance  
4
pF  
Note:  
5. See Figure 2 for differential waveform definition.  
Document #: 38-02009 Rev. *J  
Page 7 of 15  
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