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CYM1465LPD-70C PDF预览

CYM1465LPD-70C

更新时间： 2024-11-09 20:34:07
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS

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CYM1465LPD-70C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.24
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-T32JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：SRAM MODULE
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.00042 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.11 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CYM1465LPD-70C 数据手册

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1CYM1465  
CYM1465  
512K x 8 SRAM Module  
Features  
Functional Description  
• High-density 4-megabit SRAM module  
• High-speed CMOS SRAMs  
— Access time of 70 ns  
• Low active power  
The CYM1465 is a high-performance 4-megabit static RAM  
module organized as 512K words by 8 bits. This module is  
constructed using four 128K x 8 RAMs mounted on a substrate  
with pins. A decoder is used to interpret the higher-order ad-  
dresses (A and A ) and to select one of the four RAMs.  
17  
18  
— 605 mW (max.)  
Writing to the module is accomplished when the chip select  
(CS) and write enable (WE) inputs are both LOW. Data on the  
eight input/output pins (I/O through I/O ) of the device is writ-  
• 2V data retention (L Version)  
• JEDEC-compatible pinout  
• 32-pin, 0.6-inch-wide DIP package  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Low profile  
0
7
ten into the memory location specified on the address pins (A  
0
through A ). Reading the device is accomplished by taking  
18  
chip select and output enable (OE) LOW while write enable  
remains inactive or HIGH. Under these conditions, the con-  
tents of the memory location specified on the address pins (A  
— Max. height of 0.27 in.  
• Small PCB footprint  
0
through A ) will appear on the eight appropriate data in-  
18  
put/output pins (I/O through I/O ).  
0
7
— 0.98 sq. in.  
The input/output pins remain in a high-impedance state unless  
the module is selected, outputs are enabled, and write enable  
is HIGH.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
DIP  
Top View  
A − A  
0
16  
1
2
3
4
32  
31  
30  
29  
A
18  
A
16  
A
14  
A
12  
V
CC  
S
WE  
OE  
A
15  
A
17  
WE  
5
6
7
8
9
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A
A
7
13  
128K x 8  
SRAM  
128K x 8  
SRAM  
A
A
6
8
A
A
A
5
9
11  
A
4
A
OE  
3
A
10  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A
2
A
CS  
1
A
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
7
6
5
4
3
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
A
A
17  
1 OF 4  
DECODER  
18  
128K x 8  
SRAM  
128K x 8  
SRAM  
GND  
CS  
1465–2  
I/O0 − I/O7  
1465–1  
Selection Guide  
1465-70  
1465-85  
85  
1465-100  
100  
1465-120  
120  
1465-150  
150  
Maximum Access Time (ns)  
70  
110  
12  
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum Standby Current (mA)  
110  
110  
110  
110  
12  
12  
12  
12  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
January 1991 – Revised January 1995  
123456

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