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CYM1465SD-85I

更新时间: 2024-01-15 07:55:53
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其他 - ETC 静态存储器
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5页 422K
描述
x8 SRAM Module

CYM1465SD-85I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.26
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-T32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.008 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

CYM1465SD-85I 数据手册

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