是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.29 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流: | 0.008 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.084 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CYM1466HD-100M | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-100MB | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-120C | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-120M | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-120MB | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-30M | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-30MB | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-35C | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-35M | ETC |
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x8 SRAM Module | |
CYM1466HD-35MB | ETC |
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x8 SRAM Module |