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CYK128K16SCCBU-55BVXI

更新时间： 2024-11-27 21:13:47

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	244K
描述
Pseudo Static RAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48

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CYK128K16SCCBU-55BVXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

CYK128K16SCCBU-55BVXI 数据手册

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CYK128K16SCCB

2-Mbit (128K x 16) Pseudo Static RAM

Features

Functional Description^[1]

• Advanced low power MoBL^®architecture

• High speed: 55ns, 70ns

• Wide voltage range: 2.7V to 3.3V

• Typical active current: 1mA @ f = 1 MHz

• Low standby power

The CYK128K16SCCB is a high-performance CMOS pseudo

static RAMs (PSRAM) organized as 128K words by 16 bits that

supports an asynchronous memory interface. This device

features advanced circuit design to provide ultra-low active

current. This is ideal for providing More Battery Life (MoBL)

in portable applications such as cellular telephones. The

device can be put into standby mode reducing power

consumption dramatically when deselected (CE₁LOW, CE₂

HIGH or both BHE and BLE are HIGH). The input/output pins

(I/O₀through I/O₁₅) are placed in a high-impedance state

when the chip is deselected (CE₁HIGH, CE₂LOW) or OE is

deasserted HIGH), or during a write operation (Chip Enabled

and Write Enable WE LOW). Reading from the device is

accomplished by asserting the Chip Enables (CE₁LOW and

CE₂HIGH) and Output Enable (OE) LOW while forcing the

Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW,

then data from the memory location specified by the address

pins will appear on I/O₀to I/O₇. If Byte High Enable (BHE) is

LOW, then data from memory will appear on I/O₈to I/O₁₅. See

the Truth Table for a complete description of read and write

modes.

• Automatic power-down when deselected

Logic Block Diagram

DATA IN DRIVERS

A₁₀

A₉

A₈

A₇

A₆

A₅

A₄

A₃

A₂

A₁

A₀

128K x 16

RAM Array

I/O₀–I/O₇

I/O₈–I/O₁₅

COLUMN DECODER

BHE

CE₂

CE₁

BLE

CE₂

CE₁

Power -Down

Circuit

BHE

BLE

Note:

1. For best-practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.

Cypress Semiconductor Corporation

•

3901 North First Street

•

San Jose, CA 95134

•

408-943-2600

Document #: 38-05525 Rev. *E

Revised September 28, 2004

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CYK128K16SCCBU-70BVI	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (128K x 16) Pseudo Static RAM
CYK128K16SCCBU-70BVXI	CYPRESS	获取价格	Pseudo Static RAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CYK-16R-21G	MERRIMAC	获取价格	DIRECTIONAL COUPLERS
CYK256K16MCB-70BVXI	CYPRESS	获取价格	Pseudo Static RAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
CYK256K16MCBU-55BVXI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM
CYK256K16MCBU-70BVXI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM
CYK256K16MCCB	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM
CYK256K16MCCB-60BVI	CYPRESS	获取价格	Pseudo Static RAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CYK256K16MCCB-70BVI	CYPRESS	获取价格	Pseudo Static RAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CYK256K16MCCBU-55BVI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM

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