是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-256 | 针数: | 256 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 4 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | S-PBGA-B256 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17 mm |
内存密度: | 2359296 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 256 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX18 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | COMMERCIAL | 座面最大高度: | 1.7 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 17 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CYD02S18V-133BBI | CYPRESS |
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FLEx18⑩ 3.3V 64K/128K/256K/512K x 18 Synchron | |
CYD02S18V-167BBC | CYPRESS |
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FLEx18⑩ 3.3V 64K/128K/256K/512K x 18 Synchron | |
CYD02S18V-167BBC | ROCHESTER |
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128KX18 DUAL-PORT SRAM, 4ns, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-256 | |
CYD02S36V | CYPRESS |
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FLEx36 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM | |
CYD02S36V_11 | CYPRESS |
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FLEx36? 3.3 V (64K x 36) Synchronous Dual-Port RAM | |
CYD02S36V_13 | CYPRESS |
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FLEx36⢠3.3 V (64K x 36) Synchronous Dual-P | |
CYD02S36V-133BBC | CYPRESS |
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FLEx36 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM | |
CYD02S36V-133BBI | CYPRESS |
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FLEx36 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM | |
CYD02S36V-167BBC | CYPRESS |
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FLEx36 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM | |
CYD02S36V18 | CYPRESS |
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FullFlex Synchronous SDR Dual Port SRAM |