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CYD02S18V-133BBC

更新时间: 2024-11-05 20:30:15
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 1317K
描述
128KX18 DUAL-PORT SRAM, 4ns, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-256

CYD02S18V-133BBC 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:17 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-256针数:256
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:4 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码:S-PBGA-B256
JESD-609代码:e0长度:17 mm
内存密度:2359296 bit内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:18湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:256
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LBGA
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.7 mm
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:17 mm
Base Number Matches:1

CYD02S18V-133BBC 数据手册

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