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Datasheet > 存储 > OTP ROM> CY7C291A-25JC
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CY7C291A-25JC

更新时间： 2024-02-19 08:27:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 270K
描述
2K x 8 Reprogrammable PROM

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CY7C291A-25JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.31最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDIP-T24
JESD-609代码：e0长度：31.877 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：2KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：WDIP
封装等效代码：DIP24,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：12.5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.12 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mm

CY7C291A-25JC 数据手册

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92A  
CY7C291A  
2K x 8 Reprogrammable PROM  
Features  
Functional Description  
• Windowed for reprogrammability  
• CMOS for optimum speed/power  
• High speed  
The CY7C291A is a high-performance 2K-word by 8-bit  
CMOS PROM. It is packaged in a 300-mil ceramic package  
which may be equipped with an erasure window; when  
exposed to UV light the PROM is erased and can then be  
reprogrammed. The memory cells utilize proven EPROM  
— 20 ns (Commercial)  
floating-gate  
programming algorithms.  
technology  
and  
byte-wide  
intelligent  
— 35 ns (Military)  
• Low power  
The CY7C291A is a plug-in replacement for bipolar devices  
and offers the advantage of lower power, reprogrammability,  
superior performance and programming yield. The EPROM  
cell requires only 12.5V for the supervoltage and low current  
requirements allow for gang programming. The EPROM cells  
allow for each memory location to be tested 100%, as each  
location is written into, erased, and repeatedly exercised prior  
to encapsulation. Each PROM is also tested for AC perfor-  
mance to guarantee that after customer programming the  
product will meet DC and AC specification limits.  
— 660 mW (Commercial and Military)  
• Low standby power  
— 220 mW (Commercial and Military)  
• EPROM technology 100% programmable  
• Slim 300-mil or standard 600-mil packaging available  
• 5V ±10% VCC, commercial and military  
• TTL-compatible I/O  
• Direct replacement for bipolar PROMs  
• Capable of withstanding >2001V static discharge  
A read is accomplished by placing an active LOW signal on  
CS1, and active HIGH signals on CS2 and CS3. The contents  
of the memory location addressed by the address line  
(A0−A10) will become available on the output lines (O0−O7).  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
A
0
DIP  
Top View  
O
O
7
LCC/PLCC (Opaque Only)  
Top View  
A
1
PROGRAM-  
MABLE  
A
2
MULTI-  
PLEXER  
ROW  
6
V
CC  
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
7
24  
23  
22  
ADDRESS  
A
3
ARRAY  
A
8
A
6
A
9
A
5
A
4
7C291A  
O
5
O
4
O
3
3
2 1 2827  
4
26  
25  
A
10  
A
4
21  
20  
19  
18  
17  
A
10  
A
A
5
5
6
7
8
9
10  
11  
4
CS  
CS  
CS  
1
A
3
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
A
3
2
7C291A  
ADDRESS  
DECODER  
CS  
A
2
3
A
6
2
A
2
CS  
A
1
CS  
A
3
1
A
7
A
NC  
0
A
0
O
O
7
NC  
O
0
O
7
A
8
O
6
O
0
O
1
O
2
6
16  
15  
14  
13  
1314151617 18  
12  
O
10  
11  
12  
5
COLUMN  
ADDRESS  
A
9
O
2
O
1
O
4
GND  
O
3
A
10  
POWER  
DOWN  
7C293A  
Window available  
O
0
CS  
1
CS  
2
CS  
3
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-04011 Rev. *A  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised October 8, 2002  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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