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CY7C162-10DC

更新时间: 2024-02-02 02:38:31
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 626K
描述
x4 SRAM

CY7C162-10DC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:DSO-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:10 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0长度:17.907 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16KX4
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.556 mm
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.125 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.5057 mm
Base Number Matches:1

CY7C162-10DC 数据手册

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