是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA209,11X19,40 |
针数: | 209 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 8.5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B209 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 72 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 209 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA209,11X19,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.96 mm | 最大待机电流: | 0.12 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1465AV33-100BGXI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465AV33-133BGC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465AV33-133BGI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465AV33-133BGXC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465AV33-133BGXI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465V25 | ETC |
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Memory | |
CY7C1465V25-133BX | CYPRESS |
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ZBT SRAM, 512KX72, 6.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 2.20 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-209 | |
CY7C147 | CYPRESS |
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4K x 1 STATIC RAM | |
CY7C1470BV25 | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined S | |
CY7C1470BV25_09 | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined S |