是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, FBGA-209 |
针数: | 209 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 6.5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B209 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 209 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX72 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA209,11X19,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.96 mm |
最大待机电流: | 0.12 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1465AV33-133BGI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465AV33-133BGXC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465AV33-133BGXI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Thr | |
CY7C1465V25 | ETC |
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Memory | |
CY7C1465V25-133BX | CYPRESS |
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ZBT SRAM, 512KX72, 6.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 2.20 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-209 | |
CY7C147 | CYPRESS |
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4K x 1 STATIC RAM | |
CY7C1470BV25 | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined S | |
CY7C1470BV25_09 | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined S | |
CY7C1470BV25_11 | CYPRESS |
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72-Mbit (2 M x 36/4 M x 18/1 M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture | |
CY7C1470BV25_13 | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit (2 M x 36/4 M x 18) Pipelined SRAM wi |