是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | PLASTIC, LCC-52 |
针数: | 52 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.22 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.1262 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC52,.8SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 19.1262 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C146-55JXC | CYPRESS |
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2K x 8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C146-55LC | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 | |
CY7C146-55LMB | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C146-55LMBT | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY7C146-55NC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C1465AV25 | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1465AV25-100BGC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1465AV25-100BGI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1465AV25-100BGXC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1465AV25-100BGXI | CYPRESS |
获取价格 |
36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro |