5秒后页面跳转
CY7C1399BL-15ZXC PDF预览

CY7C1399BL-15ZXC

更新时间: 2024-11-05 20:33:55
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 841K
描述
32KX8 CACHE SRAM, 15ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28

CY7C1399BL-15ZXC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP
包装说明:8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
Is Samacsys:N最长访问时间:15 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e3/e4
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:8 mmBase Number Matches:1

CY7C1399BL-15ZXC 数据手册

 浏览型号CY7C1399BL-15ZXC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1399BL-15ZXC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1399BL-15ZXC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1399BL-15ZXC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1399BL-15ZXC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1399BL-15ZXC的Datasheet PDF文件第7页 

与CY7C1399BL-15ZXC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1399BL-15ZXCT CYPRESS

获取价格

Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28
CY7C1399BL-20VC CYPRESS

获取价格

32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399BL-20ZC CYPRESS

获取价格

32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399BN CYPRESS

获取价格

256K (32K x 8) Static RAM
CY7C1399BN_09 CYPRESS

获取价格

256K (32K x 8) Static RAM
CY7C1399BN-12VC CYPRESS

获取价格

256K (32K x 8) Static RAM
CY7C1399BN-12VXC CYPRESS

获取价格

256K (32K x 8) Static RAM
CY7C1399BN-12VXCT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MO-088, SOJ-28
CY7C1399BN-12VXI CYPRESS

获取价格

256K (32K x 8) Static RAM
CY7C1399BN-12VXI INFINEON

获取价格

Asynchronous SRAM