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CY7C1399BN-15ZI

更新时间： 2024-11-06 05:09:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
8页 307K
描述
256K (32K x 8) Static RAM

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CY7C1399BN-15ZI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 13.40 MM, TSOP1-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.83
最长访问时间：15 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：11.8 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP28,.53,22
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.0005 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：8 mmBase Number Matches：1

CY7C1399BN-15ZI 数据手册

 浏览型号CY7C1399BN-15ZI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1399BN-15ZI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1399BN-15ZI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1399BN-15ZI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1399BN-15ZI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1399BN-15ZI的Datasheet PDF文件第7页 
CY7C1399BN  
256K (32K x 8) Static RAM  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE) and  
active LOW Output Enable (OE) and tri-state drivers. The  
device has an automatic power-down feature, reducing the  
power consumption by more than 95% when deselected.  
Features  
• Temperature Ranges  
— Industrial: –40°C to 85°C  
— Automotive-A: –40°C to 85°C  
• Single 3.3V power supply  
• Ideal for low-voltage cache memory applications  
• High speed: 12 ns  
An active LOW Write Enable signal (WE) controls the  
writing/reading operation of the memory. When CE and WE  
inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins  
(I/O0 through I/O7) is written into the memory location  
addressed by the address present on the address pins (A0  
through A14). Reading the device is accomplished by selecting  
the device and enabling the outputs, CE and OE active LOW,  
while WE remains inactive or HIGH. Under these conditions,  
the contents of the location addressed by the information on  
address pins is present on the eight data input/output pins.  
• Low active power  
— 180 mW (max.)  
• Low-power alpha immune 6T cell  
• Available in Pb-free and non Pb-free Plastic SOJ and  
TSOP I packages  
The input/output pins remain in a high-impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and Write Enable  
(WE) is HIGH. The CY7C1399BN is available in 28-pin  
standard 300-mil-wide SOJ and TSOP Type I packages.  
Functional Description[1]  
The CY7C1399BN is a high-performance 3.3V CMOS Static  
RAM organized as 32,768 words by 8 bits. Easy memory  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
A
A
6
V
CC  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
5
WE  
A
7
A
4
A
3
A
8
I/O  
0
I/O  
1
I/O  
2
I/O  
3
I/O  
4
I/O  
5
I/O  
6
25  
24  
INPUT BUFFER  
A
9
A
2
A
10  
23  
22  
A
0
A
1
A
1
A
11  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
OE  
A
0
A
2
A
12  
21  
20  
19  
18  
17  
A
3
A
4
A
13  
CE  
I/O  
32K x 8  
ARRAY  
A
5
A
A
14  
6
A
7
7
A
I/O  
I/O  
6
0
8
A
9
I/O  
I/O  
5
1
16  
15  
I/O  
GND  
I/O  
2
4
CE  
WE  
I/O  
14  
3
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
7
OE  
Selection Guide  
-12  
12  
-15  
-20  
Maximum Access Time (ns)  
15  
50  
20  
45  
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby Current (µA)  
55  
Commercial  
500  
50  
500  
50  
500  
50  
Commercial (L)  
Industrial  
500  
500  
500  
Automotive-A  
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06490 Rev. *A  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 31, 2006  
[+] Feedback  
12345678

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CY7C1399BN-15ZI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1399BN-15ZXI CYPRESS

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