是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.88 |
最长访问时间: | 2.8 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 9437184 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 220 |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1362C-250BZI | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1362C-250BZXC | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1362C-250BZXI | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C136-30JC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-30JCR | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C136-30JCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C136-30JI | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-30LC | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7C136-30NC | CYPRESS |
获取价格 |
2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-30NCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQFP52, PLASTIC, QFP-52 |