5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 9 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 9437184 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1363A-100ACT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| CY7C1363A-100AI | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM |
|
| CY7C1363A-100AIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| CY7C1363A-100AJC | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX18 STANDARD SRAM, 9ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| CY7C1363A-100AJC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM |
|
| CY7C1363A-100AJCT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CY7C1363A-100AJI | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM |
|
| CY7C1363A-100BGC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM |
|
| CY7C1363A-100BGC | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX18 STANDARD SRAM, 9ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
|
| CY7C1363A-100BGCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
