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CY7C1325G-133BGXCT PDF预览

CY7C1325G-133BGXCT

更新时间： 2024-11-19 19:54:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 389K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119

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CY7C1325G-133BGXCT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.76
最长访问时间：6.5 ns其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e1
长度：22 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：119
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm
Base Number Matches：1

CY7C1325G-133BGXCT 数据手册

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CY7C1325G  
4-Mbit (256K x 18) Flow-Through Sync SRAM  
Features  
Functional Description[1]  
• 256K x 18 common I/O  
The CY7C1325G is a 256 K x 18 synchronous cache RAM  
designed to interface with high-speed microprocessors with  
minimum glue logic. Maximum access delay from clock rise is  
• 3.3V core power supply (VDD  
)
• 2.5V or 3.3V I/O power supply (VDDQ  
)
6.5 ns (133-MHz version). A 2-bit on-chip counter captures the  
first address in a burst and increments the address automati-  
cally for the rest of the burst access. All synchronous inputs  
are gated by registers controlled by a positive-edge-triggered  
Clock Input (CLK). The synchronous inputs include all  
addresses, all data inputs, address-pipelining Chip Enable  
(CE1), depth-expansion Chip Enables (CE2 and CE3), Burst  
Control inputs (ADSC, ADSP, and ADV), Write Enables  
(BW[A:B], and BWE), and Global Write (GW). Asynchronous  
inputs include the Output Enable (OE) and the ZZ pin.  
• Fast clock-to-output times  
— 6.5 ns (133-MHz version)  
• Provide high-performance 2-1-1-1 access rate  
• User-selectable burst counter supporting Intel®  
Pentium® interleaved or linear burst sequences  
• Separate processor and controller address strobes  
• Synchronous self-timed write  
The CY7C1325G allows either interleaved or linear burst  
sequences, selected by the MODE input pin. A HIGH selects  
an interleaved burst sequence, while a LOW selects a linear  
burst sequence. Burst accesses can be initiated with the  
Processor Address Strobe (ADSP) or the cache Controller  
Address Strobe (ADSC) inputs.  
• Asynchronous output enable  
• Available in lead-free 100-Pin TQFP package, lead-free  
and non-lead-free 119-Ball BGA package  
• “ZZ” Sleep Mode option  
Addresses and chip enables are registered at rising edge of  
clock when either Address Strobe Processor (ADSP) or  
Address Strobe Controller (ADSC) are active. Subsequent  
burst addresses can be internally generated as controlled by  
the Advance pin (ADV).  
The CY7C1325G operates from a +3.3V core power supply  
while all outputs may operate with either a +2.5 or +3.3V  
supply. All inputs and outputs are JEDEC-standard  
JESD8-5-compatible.  
Logic Block Diagram  
ADDRESS  
REGISTER  
A0,A1,A  
A[1:0]  
Q1  
MODE  
ADV  
CLK  
BURST  
COUNTER AND  
LOGIC  
CLR  
Q0  
ADSC  
ADSP  
DQ  
B,DQPB  
DQ  
B,DQPB  
WRITE DRIVER  
WRITE REGISTER  
BW  
B
A
MEMORY  
ARRAY  
OUTPUT  
BUFFERS  
DQs  
DQP  
DQP  
SENSE  
AMPS  
A
B
DQ  
A,DQPA  
DQA,DQPA  
WRITE REGISTER  
WRITE DRIVER  
BW  
BWE  
GW  
INPUT  
REGISTERS  
ENABLE  
REGISTER  
CE  
CE  
CE  
1
2
3
OE  
SLEEP  
CONTROL  
ZZ  
Note:  
1. For best-practices recommendations, please refer to the Cypress application note System Design Guidelines on www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05518 Rev. *D  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 4, 2006  
[+] Feedback  
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