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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C128A-20VXC
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CY7C128A-20VXC

更新时间： 2024-11-30 05:09:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 255K
描述
2K x 8 Static RAM

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CY7C128A-20VXC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ24,.34
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.34最长访问时间：20 ns
其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J24JESD-609代码：e3
长度：15.365 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ24,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.55 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：7.505 mm
Base Number Matches：1

CY7C128A-20VXC 数据手册

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CY7C128A  
2K x 8 Static RAM  
Features  
Functional Description  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
• High speed  
The CY7C128A is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 2048 words by 8 bits. Easy memory expansion  
is provided by an active LOW Chip Enable (CE), and active  
LOW Output Enable (OE) and tri-state drivers. The CY7C128A  
has an automatic power-down feature, reducing the power  
consumption by 83% when deselected.  
— 15 ns  
• Low active power  
Writing to the device is accomplished when the Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs are both LOW.  
— 660 mW (commercial)  
• Low standby power  
Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is written into the  
memory location specified on the address pins (A0 through  
— 110 mW (20 ns)  
A10).  
• TTL-compatible inputs and outputs  
Reading the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Output Enable (OE) LOW while Write Enable (WE)  
remains HIGH. Under these conditions, the contents of the  
memory location specified on the address pins will appear on  
the eight I/O pins.  
• Capable of withstanding greater than 2001V electro-  
static discharge  
• Available in Pb-free and non Pb-free 24-pin Molded  
SOJ, non Pb-free 24-pin (300-Mil) Molded DIP  
The I/O pins remain in high-impedance state when Chip  
Enable (CE) or Output Enable (OE) is HIGH or Write Enable  
(WE) is LOW.  
The CY7C128A utilizes a die coat to insure alpha immunity.  
Pin  
Logic Block Diagram  
Configurations  
DIP/SOJ  
Top View  
A
V
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24  
23  
22  
7
A
A
A
A
8
A
9
6
5
4
WE  
OE  
21  
20  
19  
18  
17  
A
A
2
3
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
3
4
5
6
A
10  
INPUT BUFFER  
7C128A  
A
1
CE  
I/O  
A
0
7
A
10  
I/O  
6
I/O  
0
16  
15  
14  
13  
A
9
I/O  
I/O  
10  
11  
12  
I/O  
I/O  
5
1
A
A
8
4
2
7
128 x 16 x 8  
ARRAY  
GND  
I/O  
3
A
6
A
A
5
C128A–2  
4
CE  
WE  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
7
OE  
C128A–1  
A
3
A
2
A
1
A
0
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05028 Rev. *A  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
1234567...9

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