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CY7C1168V18-375BZXC

更新时间: 2024-09-17 15:30:15
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1327K
描述
1MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

CY7C1168V18-375BZXC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165针数:165
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.56
最长访问时间:0.45 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PBGA-B165JESD-609代码:e1
长度:15 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:DDR SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:165字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.4 mm最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:13 mm
Base Number Matches:1

CY7C1168V18-375BZXC 数据手册

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