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CY7C1150V18-375BZXI

更新时间： 2024-02-24 19:19:56

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赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器双倍数据速率
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描述
18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

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CY7C1150V18-375BZXI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	375 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	15 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.29 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	1.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

CY7C1150V18-375BZXI 数据手册

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CY7C1146V18

CY7C1157V18

CY7C1148V18

CY7C1150V18

Logic Block Diagram (CY7C1146V18)

Write

Reg

Write

Reg

(19:0)

Address

Output

Logic

Control

CLK

Gen.

R/W

DOFF

Read Data Reg.

REF

Reg.

Control

Logic

R/W

[7:0]

NWS

[1:0]

QVLD

Logic Block Diagram (CY7C1157V18)

Write

Reg

Write

Reg

(19:0)

Address

Output

Logic

Control

CLK

Gen.

R/W

DOFF

Read Data Reg.

REF

Reg.

Control

Logic

R/W

[8:0]

BWS

[0]

QVLD

Document Number: 001-06621 Rev. *C

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