Datasheet > CY7C1041G30-10ZSXE

CY7C1041G30-10ZSXE

更新时间： 2024-11-05 21:11:43

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	270K
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Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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CY7C1041G30-10ZSXE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP2,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	2.13	最长访问时间：	10 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.415 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
座面最大高度：	1.194 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1041G30-10ZSXE 数据手册

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CY7C1041G Automotive

4-Mbit (256K words × 16-bit) Static RAM

with Error-Correcting Code (ECC)

4-Mbit (256K words

× 16-bit) Static RAM with Error-Correcting Code (ECC)

Features

Functional Description

CY7C1041G is a high-performance CMOS fast static RAM

automotive part with embedded ECC. This device has a single

Chip Enable (CE) input and is accessed by asserting it LOW.

■ High speed

❐ t_AA= 10 ns

■ Temperature range

❐ Automotive-E: –40 °C to 125 °C

❐ Automotive-A: –40 °C to 85 °C

■ Embedded ECC for single-bit error correction^[1]

Data writes are performed by asserting the Write Enable (WE)

input LOW, while providing the data on I/O₀through I/O₁₅and

the address on A₀through A₁₇pins. The Byte High Enable (BHE)

and Byte Low Enable (BLE) inputs control write operations to the

upper and lower bytes of the specified memory location. BHE

controls I/O₈through I/O₁₅and BLE controls I/O₀through I/O₇.

■ Low active and standby currents

❐ Active current I_CC= 40 mA typical

❐ Standby current I_SB2= 6 mA typical

Data reads are performed by asserting the Output Enable (OE)

input and providing the required address on the address lines.

Read data is accessible on the I/O lines (I/O₀through I/O₁₅).

Byte accesses can be performed by asserting the required byte

enable signal (BHE or BLE) to read either the upper byte or the

lower byte of data from the specified address location.

■ Operating voltage range: 2.2 V to 3.6 V

■ 1.0 V data retention

■ TTL- compatible inputs and outputs

All I/Os (I/O₀through I/O₁₅) are placed in a HI-Z state when the

■ Pb-free 48-ball VFBGA and 44-pin TSOP II packages

device is deselected (CE LOW), or when the control signals are

deasserted (OE, BLE, BHE). Refer to the following logic block

diagram.

Logic Block Diagram – CY7C1041G

ECC ENCODER

INPUT BUFFER

I/O₀‐I/O₇

I/O₈‐I/O₁₅

MEMORY

ARRAY

COLUMN DECODER

BHE

CE₂

CE₁

BLE

Note

1. This device does not support automatic write-back on error detection.

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-91255 Rev. *I

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised June 27, 2017

12 3 4 5 6 7...16

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CY7C1041G30-10ZSXET	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
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CY7C1041G30-10ZSXI	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY7C1041G30-10ZSXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1041GE-10VXI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (256K words Ã 16 bit) Static RAM with
CY7C1041GE-10VXI	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY7C1041GE-10VXIT	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
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