Datasheet > CY7C1041GN30-10ZSXI

CY7C1041GN30-10ZSXI

更新时间： 2024-01-12 12:03:26

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	1675K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44

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CY7C1041GN30-10ZSXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP2,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	1.55	最长访问时间：	10 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	18.415 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	1.194 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY7C1041GN30-10ZSXI 数据手册

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CY7C1041GN

4-Mbit (256K words × 16 bit) Static RAM

4-Mbit (256K words

× 16 bit) Static RAM

Data writes are performed by asserting the Chip Enable (CE) and

Write Enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O₀

through I/O₁₅and address on A₀through A₁₇pins. The Byte High

Enable (BHE) and Byte Low Enable (BLE) inputs control write

operations to the upper and lower bytes of the specified memory

location. BHE controls I/O₈through I/O₁₅and BLE controls I/O₀

through I/O₇.

Features

■ High speed

❐ t_AA= 10 ns / 15 ns

■ Low active and standby currents

❐ Active current: I_CC= 38-mA typical

❐ Standby current: I_SB2= 6-mA typical

Data reads are performed by asserting the Chip Enable (CE) and

■ Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, and

4.5 V to 5.5 V

Output Enable (OE) inputs LOW and providing the required

address on the address lines. Read data is accessible on the I/O

lines (I/O₀through I/O₁₅). Byte accesses can be performed by

asserting the required byte enable signal (BHE or BLE) to read

either the upper byte or the lower byte of data from the specified

address location.

■ 1.0-V data retention

■ TTL-compatible inputs and outputs

■ Pb-free 44-pin SOJ, 44-pin TSOP II, and 48-ball VFBGA

packages

All I/Os (I/O₀through I/O₁₅) are placed in a high-impedance state

during the following events:

Functional Description

■ The device is deselected (CE HIGH)

CY7C1041GN is high-performance CMOS fast static RAM

Organized as 256K words by 16-bits.

■ The control signals (OE, BLE, BHE) are de-asserted

The logic block diagram is on page 2.

Product Portfolio

Power Dissipation

Speed

Operating I_CC, (mA)

(ns)

Product

Range

V_CCRange (V)

Standby, I_SB2(mA)

f = f_max

10/15

Typ^[1]

–

Max

Typ^[1]

Max

CY7C1041GN18

1.65 V–2.2 V

2.2 V–3.6 V

4.5 V–5.5 V

CY7C1041GN30

CY7C1041GN

Industrial

Notes

1. Typical values are included only for reference and are not guaranteed or tested. Typical values are measured at V = 1.8 V (for a V range of 1.65 V–2.2 V),

= 3 V (for a V range of 2.2 V–3.6 V), and V = 5 V (for a V range of 4.5 V–5.5 V), T = 25 °C.

CC CC CC A

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-95413 Rev. *D

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised September 9, 2016

12 3 4 5 6 7...18

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CY7C1041GN30-10ZSXI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY7C1041DV33-10ZSXI	CYPRESS	类似代替	4-Mbit (256 K × 16) Static RAM

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CY7C1041L-15ZC	CYPRESS	获取价格	256K x 16 Static RAM
CY7C1041L-17VC	CYPRESS	获取价格	256K x 16 Static RAM
CY7C1041L-17ZC	CYPRESS	获取价格	256K x 16 Static RAM
CY7C1041L-20VC	CYPRESS	获取价格	256K x 16 Static RAM
CY7C1041L-20ZC	CYPRESS	获取价格	256K x 16 Static RAM
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CY7C1041L-25ZC	CYPRESS	获取价格	256K x 16 Static RAM
CY7C1041V33	CYPRESS	获取价格	256K x 16 Static RAM
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