5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CY7C1041DV33-10VXC
CY7C1041DV33-10VXC PDF预览

CY7C1041DV33-10VXC

更新时间： 2024-12-01 15:30:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 261K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

CY7C1041DV33-10VXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ44,.44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.33
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J44JESD-609代码：e4
长度：28.575 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ44,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.7592 mm
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C1041DV33-10VXC 数据手册

 浏览型号CY7C1041DV33-10VXC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1041DV33-10VXC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1041DV33-10VXC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1041DV33-10VXC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1041DV33-10VXC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1041DV33-10VXC的Datasheet PDF文件第7页 
CY7C1041DV33  
PRELIMINARY  
4-Mbit (256K x 16) Static RAM  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte LOW Enable  
(BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O0–I/O7), is written  
into the location specified on the address pins (A0–A17). If Byte  
HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from I/O pins  
(I/O8–I/O15) is written into the location specified on the  
address pins (A0–A17).  
Features  
• Pin- and function-compatible with CY7C1041CV33  
• High speed  
— tAA = 8 ns  
• Low active power  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the  
Write Enable (WE) HIGH. If Byte LOW Enable (BLE) is LOW,  
then data from the memory location specified by the address  
pins will appear on I/O0 – I/O7. If Byte HIGH Enable (BHE) is  
LOW, then data from memory will appear on I/O8 to I/O15. See  
the truth table at the back of this data sheet for a complete  
description of Read and Write modes.  
— ICC = 90 mA @ 8 ns (Commercial)  
— ICC = 100 mA @ 8 ns (Industrial)  
• Low CMOS standby power  
— ISB2 = 10 mA  
• 2.0 V data retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The input/output pins (I/O0–I/O15  
)
are placed in  
a
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE  
are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a Write operation  
(CE LOW, and WE LOW).  
• Available in Lead-Free 48-ball Fine Pitch BGA, 44-lead  
(400-mil) Molded SOJ and 44-pin TSOP II ZS44  
packages  
The CY7C1041DV33 is available in a standard 44-pin  
400-mil-wide body width SOJ and 44-pin TSOP II package  
with center power and ground (revolutionary) pinout, as well  
as a 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package.  
Functional Description[1]  
The CY7C1041DV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 262,144 words by 16 bits.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
TSOP II  
Top View  
INPUT BUFFER  
44  
1
A
A
A
A
OE  
BHE  
BLE  
0
17  
16  
15  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
A
2
3
4
5
6
A
1
0
A
1
A
2
A
A
3
2
I/O –I/O  
A
4
0
7
A
3
4
CE  
A
256K × 16  
I/O  
0
I/O  
7
15  
I/O –I/O  
A
6
5
8
15  
37  
36  
35  
34  
33  
I/O  
I/O  
8
I/O  
I/O  
1
2
14  
13  
12  
A
9
A
7
8
10  
11  
12  
13  
I/O  
V
SS  
I/O  
3
CC  
A
V
SS  
V
V
CC  
32  
I/O  
I/O  
I/O  
4
5
6
7
11  
10  
31  
30  
29  
28  
I/O  
I/O  
I/O  
14  
15  
16  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
9
8
I/O  
WE 17  
NC  
18  
27  
26  
25  
A
14  
A
5
19  
A
A
13  
A
12  
A
11  
6
A
20  
21  
22  
BHE  
WE  
CE  
7
A
24  
23  
8
9
A
A
10  
OE  
BLE  
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the “System Design Guidelines” Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05473 Rev. *B  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 29, 2005  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与CY7C1041DV33-10VXC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1041DV33-10VXI CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (256 K × 16) Static RAM
CY7C1041DV33-10VXIT CYPRESS

获取价格

 		暂无描述
CY7C1041DV33-10ZSXA CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (256 K × 16) Static RAM
CY7C1041DV33-10ZSXC CYPRESS

获取价格

 		暂无描述
CY7C1041DV33-10ZSXI CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (256 K × 16) Static RAM
CY7C1041DV33-10ZSXIT CYPRESS

获取价格

 		暂无描述
CY7C1041DV33-12BVJXE CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (256 K × 16) Static RAM
CY7C1041DV33-12BVXE CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY7C1041DV33-12VXC CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
CY7C1041DV33-12VXE CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (256K x 16) Static RAM

与CY7C1041DV33-10VXC相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证