是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.78 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 12 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.095 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1041DV33-12BVXE | CYPRESS |
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4-Mbit (256K x 16) Static RAM | |
CY7C1041DV33-12VXC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44 | |
CY7C1041DV33-12VXE | CYPRESS |
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4-Mbit (256K x 16) Static RAM | |
CY7C1041DV33-12ZSXC | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY7C1041DV33-12ZSXE | CYPRESS |
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4-Mbit (256K x 16) Static RAM | |
CY7C1041DV33-8BAXC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256KX16, 8ns, CMOS, PBGA48, 7 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48 | |
CY7C1041DV33-8ZSXC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 | |
CY7C1041DV33-8ZSXI | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 | |
CY7C1041G | CYPRESS |
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4-Mbit (256K words à 16 bit) Static RAM with | |
CY7C1041G-10VXI | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K words à 16 bit) Static RAM with |