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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | 0.400 INCH, SOJ-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.06 |
| 最长访问时间： | 12 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 28.575 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ44,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.7592 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1041CV33-12VI | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 16 Static RAM |
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| CY7C1041CV33-12VXC | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
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| CY7C1041CV33-12VXI | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
|
| CY7C1041CV33-12ZC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 16 Static RAM |
|
| CY7C1041CV33-12ZCT | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
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| CY7C1041CV33-12ZI | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 16 Static RAM |
|
| CY7C1041CV33-12ZI | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO44, TSOP2-44 |
|
| CY7C1041CV33-12ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
|
| CY7C1041CV33-12ZSXE | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
|
| CY7C1041CV33-12ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
|
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