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CY7C1041CV33-12ZI

更新时间: 2024-12-01 21:22:07
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 1122K
描述
256KX16 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO44, TSOP2-44

CY7C1041CV33-12ZI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.36
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.415 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):235认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.194 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1041CV33-12ZI 数据手册

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