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CY7C1041CV33-12ZXI

更新时间: 2024-01-18 11:47:21
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 1122K
描述
256KX16 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44

CY7C1041CV33-12ZXI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.36
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e3长度:18.415 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.194 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

CY7C1041CV33-12ZXI 数据手册

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