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CY7C1041CV33-12ZXI PDF预览

CY7C1041CV33-12ZXI

更新时间： 2024-12-01 05:19:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 599K
描述
4-Mbit (256K x 16) Static RAM

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CY7C1041CV33-12ZXI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：LEAD FREE, TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.58
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e4长度：18.415 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.194 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.095 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1041CV33-12ZXI 数据手册

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CY7C1041CV33  
4-Mbit (256K x 16) Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• Pin equivalent to CY7C1041BV33  
• Temperature Ranges  
The CY7C1041CV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 262,144 words by 16 bits.  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte LOW Enable  
(BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O0–I/O7), is written  
into the location specified on the address pins (A0–A17). If Byte  
HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from I/O pins  
(I/O8–I/O15) is written into the location specified on the  
address pins (A0–A17).  
— Commercial: 0°C to 70°C  
— Industrial: –40°C to 85°C  
— Automotive-A: –40°C to 85°C  
— Automotive-E: –40°C to 125°C  
• High speed  
— tAA = 10 ns  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the  
Write Enable (WE) HIGH. If Byte LOW Enable (BLE) is LOW,  
then data from the memory location specified by the address  
pins will appear on I/O0 – I/O7. If Byte HIGH Enable (BHE) is  
LOW, then data from memory will appear on I/O8 to I/O15. See  
the truth table at the back of this data sheet for a complete  
description of Read and Write modes.  
• Low active power  
— 324 mW (max.)  
• 2.0V data retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The input/output pins (I/O0–I/O15  
)
are placed in  
a
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE  
are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a Write operation  
(CE LOW, and WE LOW).  
• Available in Pb-free and non Pb-free 44-pin 400-mil-  
SOJ, 44-pin TSOP II and 48-ball FBGA packages  
The CY7C1041CV33 is available in a standard 44-pin  
400-mil-wide body width SOJ and 44-pin TSOP II package  
with center power and ground (revolutionary) pinout, as well  
as a 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ/  
TSOP II  
Top View  
INPUT BUFFER  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
1
2
3
4
5
6
A
A
17  
0
A
A
16  
A
0
1
A
A
15  
A
1
2
A
2
A
OE  
BHE  
BLE  
3
I/O –I/O  
256K × 16  
0
7
A
A
3
4
ARRAY  
A
4
CE  
I/O –I/O  
A
I/O  
I/O  
5
7
8
15  
0
15  
A
6
37  
36  
35  
34  
33  
32  
I/O  
I/O  
8
I/O  
I/O  
1
2
14  
13  
12  
A
7
9
A
8
10  
11  
12  
13  
I/O  
V
SS  
I/O  
3
CC  
V
SS  
V
V
CC  
I/O  
I/O  
I/O  
4
5
6
7
11  
10  
COLUMN  
DECODER  
31  
30  
29  
28  
I/O  
I/O  
I/O  
14  
15  
16  
I/O  
9
8
I/O  
WE 17  
NC  
18  
27  
26  
25  
A
14  
A
5
BHE  
WE  
CE  
OE  
BLE  
19  
A
A
6
13  
A
20  
21  
22  
A
7
12  
A
11  
A
24  
23  
8
9
A
A
10  
Notes:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the “System Design Guidelines” Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05134 Rev. *H  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised September 1, 2006  
[+] Feedback  
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与CY7C1041CV33-12ZXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1041CV33-15BAC CYPRESS

获取价格

 		256K x 16 Static RAM
CY7C1041CV33-15BACT CYPRESS

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 		暂无描述
CY7C1041CV33-15BAI CYPRESS

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 		256K x 16 Static RAM
CY7C1041CV33-15BAIT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 7 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
CY7C1041CV33-15VC CYPRESS

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 		256K x 16 Static RAM
CY7C1041CV33-15VC ROCHESTER

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 		暂无描述
CY7C1041CV33-15VCT ROCHESTER

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 		256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44
CY7C1041CV33-15VI CYPRESS

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 		256K x 16 Static RAM
CY7C1041CV33-15VXC CYPRESS

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 		4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY7C1041CV33-15VXI CYPRESS

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