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CY7C102-45DC

更新时间: 2024-01-24 07:28:10
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 447K
描述
x4 SRAM

CY7C102-45DC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85最长访问时间:45 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:20.955 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7592 mm
最大待机电流:0.025 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm

CY7C102-45DC 数据手册

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