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CY7C1024DV33-10BGXIT

更新时间： 2024-01-27 12:13:24

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		/
页数	文件大小	规格书
9页	300K
描述
Standard SRAM, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119

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CY7C1024DV33-10BGXIT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	22 X 14 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e1
长度：	22 mm	内存密度：	3145728 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	24
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX24	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HBGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
最大待机电流：	0.025 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

CY7C1024DV33-10BGXIT 数据手册

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CY7C1024DV33

3-Mbit (128K X 24) Static RAM

Features

Functional Description

■

High speed

t_AA= 10 ns

Low active power

I_CC= 175 mA at 10 ns

Low CMOS standby power

I_SB2= 25 mA

The CY7C1024DV33 is a high performance CMOS static RAM

organized as 128K words by 24 bits. This device has an

automatic power down feature that significantly reduces power

consumption when deselected.

❐

To write to the device, enable the chip (CE₁LOW, CE₂HIGH,

and CE₃LOW), while forcing the Write Enable (WE) input LOW.

❐

To read from the device, enable the chip by taking CE₁LOW, CE₂

HIGH, and CE₃LOW while forcing the Output Enable (OE) LOW

and the Write Enable (WE) HIGH. See the Truth Table on page

7 for a complete description of Read and Write modes.

■

Operating voltages of 3.3 ± 0.3V

2.0V data retention

The 24 I/O pins (I/O₀to I/O₂₃) are placed in a high impedance

state when the device is deselected (CE₁HIGH, CE₂LOW, or

CE₃HIGH) or when the output enable (OE) is HIGH during a

write operation. (CE₁LOW, CE₂HIGH, CE₃LOW, and WE

LOW).

Automatic power down when deselected

TTL compatible inputs and outputs

Easy memory expansion with CE₁, CE₂, and CE₃features

Available in Pb-free standard 119-ball PBGA

Logic Block Diagram

INPUT BUFFER

I/O₀– I/O₂₃

128K x 24

ARRAY

A_(9:0)

CE₁, CE₂, CE₃

COLUMN

DECODER

CONTROL LOGIC

A_(16:10)

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-08353 Rev. *C

•

198 Champion Court

•

San Jose

CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised November 6, 2008

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CY7C1024DV33-10BGXIT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY7C1024DV33-10BGXI	CYPRESS	完全替代	3-Mbit (128K X 24) Static RAM

与CY7C1024DV33-10BGXIT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1024DV33-8BGXC	CYPRESS	获取价格	3-Mbit (128K X 24) Static RAM
CY7C102A-12PC	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY7C102A-12VC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
CY7C102A-15DMB	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY7C102A-15PC	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY7C102A-15VC	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY7C102A-15VCR	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
CY7C102A-15VCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
CY7C102A-20DMB	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY7C102A-20PC	ETC	获取价格	x4 SRAM

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