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CY7C09569V-83BAI

更新时间: 2024-09-18 09:15:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 924K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX36, 6ns, CMOS, PBGA172, 15 X 15 MM, 0.51 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-172

CY7C09569V-83BAI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:15 X 15 MM, 0.51 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-172针数:172
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTOMATIC POWER DOWN
最大时钟频率 (fCLK):83 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PBGA-B172JESD-609代码:e0
长度:15 mm内存密度:589824 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:36
功能数量:1端口数量:2
端子数量:172字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA172,14X14,40封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.25 mm
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:3.15 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.385 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:15 mm

CY7C09569V-83BAI 数据手册

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