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CY7C09579V-67BAI

更新时间： 2024-09-24 21:09:11

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	924K
描述
Dual-Port SRAM, 128KX9, 8ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-144

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CY7C09579V-67BAI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-144	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	8 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER DOWN; CONFIGURED AS 32K X 36
最大时钟频率 (fCLK)：	67 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1179648 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	144
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX9
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA144,13X13,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.001 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...27

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C09579V-67BBC	CYPRESS	获取价格	3.3V 16K/32K x 36 FLE x 36-TM Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09579V-83AC	CYPRESS	获取价格	3.3V 16K/32K x 36 FLE x 36-TM Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09579V-83AI	CYPRESS	获取价格	3.3V 16K/32K x 36 FLE x 36-TM Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09579V-83AXC	CYPRESS	获取价格	3.3 V 16 K / 32 K Ã 36 FLEx36Â® Synchronous
CY7C09579V-83BAC	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY7C09579V-83BAI	CYPRESS	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PBGA172, 15 X 15 MM, 0.51 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-17
CY7C09579V-83BBC	CYPRESS	获取价格	3.3V 16K/32K x 36 FLE x 36-TM Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09579V-83BBI	CYPRESS	获取价格	3.3V 16K/32K x 36 FLE x 36-TM Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C1001	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O
CY7C1001-12	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O