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CY7C09369V-6AXC PDF预览

CY7C09369V-6AXC

更新时间： 2024-02-29 07:03:17
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 1231K
描述
16KX18 DUAL-PORT SRAM, 6.5ns, PQFP100, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

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CY7C09369V-6AXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100针数：100
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
Is Samacsys：N最长访问时间：6.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：S-PQFP-G100
JESD-609代码：e3/e4长度：14 mm
内存密度：294912 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16KX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：14 mm
Base Number Matches：1

CY7C09369V-6AXC 数据手册

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CY7C09269V/79V/89V  
CY7C09369V/79V/89V  
3.3V 16K/32K/64K x 16/18  
Synchronous Dual-Port Static RAM  
■ 3.3V low operating power:  
❐ Active = 115 mA (typical)  
❐ Standby = 10 μA (typical)  
Features  
■ True dual-ported memory cells that allow simultaneous access  
of the same memory location  
■ Fully synchronous interface for easier operation  
■ Six flow through/pipelined devices:  
■ Burst counters increment addresses internally:  
❐ Shorten cycle times  
❐ Minimize bus noise  
❐ 16K x 16/18 organization (CY7C09269V/369V)  
❐ 32K x 16/18 organization (CY7C09279V/379V)  
❐ 64K x 16/18 organization (CY7C09289V/389V)  
❐ Supported in flow through and pipelined modes  
■ Three modes:  
❐ Flow through  
❐ Pipelined  
❐ Burst  
■ Dual chip enables easy depth expansion  
■ Upper and lower byte controls for bus matching  
■ Automatic power down  
■ Pipelined output mode on both ports allows fast 100 MHz  
operation  
■ Commercial and industrial temperature ranges  
■ Pb-Free 100-pin TQFP package available  
■ 0.35 micron CMOS for optimum speed and power  
■ High speed clock to data access: 6.5[1, 2], 7.5[2], 9, 12 ns (max)  
Logic Block Diagram  
R/WL  
R/WR  
UB  
UB  
R
L
CE  
CE  
CE  
CE  
0L  
1L  
0R  
1R  
1
1
0
0
0/1  
0/1  
LB  
LB  
L
R
OE  
OE  
L
R
1b 0b 1a 0a  
0a 1a 0b 1b  
0/1  
b
a
a
b
0/1  
FT/PipeL  
FT/PipeR  
8/9  
8/9  
8/9  
8/9  
[3]  
[3]  
I/O8/9L–I/O15/17L  
I/O8/9R–I/O15/17R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
[4]  
[4]  
I/O0L–I/O7/8L  
I/O0R–I/O7/8R  
14/15/16  
A
0L–A  
14/15/16 A0R–A[5]  
[5]  
13/14/15L  
13/14/15R  
Counter/  
Address  
Register  
Decode  
Counter/  
Address  
Register  
Decode  
CLK  
CLK  
ADS  
L
R
R
R
R
True Dual-Ported  
ADS  
L
RAM Array  
CNTEN  
CNTEN  
CNTRST  
L
CNTRST  
L
Notes  
1. Call for availability.  
2. See page 6 for Load Conditions.  
3. I/O –I/O for x16 devices; I/O –I/O for x18 devices.  
8
15  
9
17  
4. I/O –I/O for x16 devices. I/O –I/O for x18 devices.  
0
7
0
8
5. A –A for 16K; A –A for 32K; A –A for 64K devices.  
0
13  
0
14  
0
15  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-06056 Rev. *C  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised March 25, 2009  
[+] Feedback  
1234567...20

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与CY7C09369V-6AXC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C09369V-7AC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-7AI CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-7AXC ROCHESTER

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 		16KX18 DUAL-PORT SRAM, 7.5ns, PQFP100, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
CY7C09369V-9AC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-9AC ROCHESTER

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 		16KX18 DUAL-PORT SRAM, 9ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
CY7C09369V-9ACT CYPRESS

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 		Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
CY7C09369V-9AI CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-9AXC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
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