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CY7B135-25JC

更新时间: 2024-11-19 23:16:27
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赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
页数 文件大小 规格书
15页 588K
描述
4K x 8 Dual-Port Static RAMs and 4K x 8 Dual-Port Static RAM with Semaphores

CY7B135-25JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LCC包装说明:PLASTIC, LCC-52
针数:52Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最长访问时间:25 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQCC-J52
JESD-609代码:e0长度:19.1262 mm
内存密度:32768 bit内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:2
端子数量:52字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:19.1262 mmBase Number Matches:1

CY7B135-25JC 数据手册

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