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CY7B136-15JC

更新时间: 2024-11-19 22:08:59
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
12页 382K
描述
4K x 8 Dual-Port Static RAMs and 4K x 8 Dual-Port Static RAM with Semaphores

CY7B136-15JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LCC包装说明:PLASTIC, LCC-52
针数:52Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82最长访问时间:15 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAGI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:2
端子数量:52字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.26 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:19.1262 mmBase Number Matches:1

CY7B136-15JC 数据手册

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