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CY7B135-35LMB

更新时间: 2024-11-19 23:16:27
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赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
页数 文件大小 规格书
15页 588K
描述
4K x 8 Dual-Port Static RAMs and 4K x 8 Dual-Port Static RAM with Semaphores

CY7B135-35LMB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LCC包装说明:CERAMIC, LCC-52
针数:52Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-CQCC-N52
JESD-609代码:e0长度:19.05 mm
内存密度:32768 bit内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:52
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC52,.75SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:2.54 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.25 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:19.05 mmBase Number Matches:1

CY7B135-35LMB 数据手册

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