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CY7B135-55JCR

更新时间: 2024-11-25 08:04:03
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赛普拉斯 - CYPRESS 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 378K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX8, 55ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

CY7B135-55JCR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:52
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
最长访问时间:55 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:S-PQCC-J52长度:19.1262 mm
内存密度:32768 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:52
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:19.1262 mm

CY7B135-55JCR 数据手册

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