Datasheet > CY62148EV30LL-45ZSXIT

CY62148EV30LL-45ZSXIT

更新时间： 2024-01-25 02:59:01

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	860K
描述
Asynchronous SRAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY62148EV30LL-45ZSXIT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.96	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e3	长度：	20.95 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP32,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000007 A
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY62148EV30LL-45ZSXIT 数据手册

浏览型号CY62148EV30LL-45ZSXIT的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号CY62148EV30LL-45ZSXIT的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号CY62148EV30LL-45ZSXIT的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号CY62148EV30LL-45ZSXIT的Datasheet PDF文件第7页

浏览型号CY62148EV30LL-45ZSXIT的Datasheet PDF文件第8页

浏览型号CY62148EV30LL-45ZSXIT的Datasheet PDF文件第9页

CY62148EV30 MoBL

Capacitance

Parameter ^[12]

Description

Input capacitance

Output capacitance

Test Conditions

T_A= 25 °C, f = 1 MHz, V_CC= V_CC(typ)

Max

Unit

C_IN

C_OUT

Thermal Resistance

36-ballVFBGA 32-pin TSOP II 32-pin SOIC

Parameter ^[12]

Description

Test Conditions

Unit

Package

_JA

Thermal resistance

(junction to ambient)

Still air, soldered on

3 × 4.5 inch, four-layer printed

44.79

59.10

51.57

C/W

circuit board

_JC

Thermal resistance

(junction to case)

23.17

12.19

25.01

C/W

AC Test Loads and Waveforms

Figure 1. AC Test Loads and Waveforms

ALL INPUT PULSES

V_CC

OUTPUT

V_CC

90%

10%

90%

10%

GND

Rise Time = 1 V/ns

30 pF

Fall Time = 1 V/ns

INCLUDING

JIG AND

SCOPE

Equivalent to:

THEVENIN EQUIVALENT

R_TH

OUTPUT

Parameter

2.50 V

16667

15385

8000

3.0 V

1103

1554

645

Unit

R₁

R₂



R_TH

V_TH

1.20

1.75

Note

12. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.

Document Number: 38-05576 Rev. *X

Page 5 of 20

1...3 4 567 8 9...21

下载PDF

与CY62148EV30LL-45ZSXIT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CY62148EV30LL-55SXI	CYPRESS	4-Mbit (512K x 8) Static RAM	获取价格
CY62148EV30LL-55SXI	INFINEON	Asynchronous SRAM	获取价格
CY62148EV30LL-55SXIT	INFINEON	Asynchronous SRAM	获取价格
CY62148G	CYPRESS	4-Mbit (512K words Ã 8 bit) Static RAM with	获取价格
CY62148G18-55ZSXI	CYPRESS	4-Mbit (512K words Ã 8 bit) Static RAM with	获取价格
CY62148G18-55ZSXI	INFINEON	Asynchronous SRAM	获取价格