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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | LEAD FREE, TSOP2-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 最长访问时间： | 45 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.415 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1.194 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY62147DV30LL-45ZSXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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| CY62147DV30LL-55BVI | CYPRESS |
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4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
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| CY62147DV30LL-55BVI | ROCHESTER |
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256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 |
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| CY62147DV30LL-55BVIT | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 |
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| CY62147DV30LL-55BVXI | CYPRESS |
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4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
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| CY62147DV30LL-55BVXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48 |
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| CY62147DV30LL-55ZSXI | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
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| CY62147DV30LL-55ZSXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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| CY62147DV30LL-70BVI | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 |
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| CY62147DV30LL-70BVI | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
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