CY62127DV30L-70BVI

更新时间： 2024-02-18 22:30:47

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赛普拉斯 - CYPRESS		/
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1 Mb (64K x 16) Static RAM

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CY62127DV30L-70BVI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.415 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.194 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY62127DV30L-70BVI 数据手册

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CY62127DV30

MoBL^®

DC Input Voltage^[5]................................ −0.3V to V_CC+ 0.3V

Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA

Maximum Ratings

(Above which the useful life may be impaired. For user guide-

Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V

lines, not tested.)

(per MIL-STD-883, Method 3015)

Storage Temperature ..................................–65°C to +150°C

Latch-up Current.....................................................> 200 mA

Ambient Temperature with

Power Applied.............................................–55°C to +125°C

Operating Range

Supply Voltage to Ground Potential

[6]

Range

Ambient Temperature (T_A)

V_CC

......................................................................... −0.3V to 3.9V

Industrial

–40°C to +85°C

2.2V to 3.6V

DC Voltage Applied to Outputs

in High-Z State^[5]....................................−0.3V to V_CC+ 0.3V

DC Electrical Characteristics (Over the Operating Range)

CY62127DV30-45 CY62127DV30-55 CY62127DV30-70

Parameter Description

Test Conditions

Min. Typ.^[4]Max. Min. Typ.^[4]Max. Min. Typ.^[4]Max. Unit

V_OH

V_OL

V_IH

Output HIGH 2.2 < V_CC< 2.7 I_OH= −0.1 mA 2.0

2.0

2.4

2.0

2.4

Voltage

2.7 < V_CC< 3.6 I_OH= −1.0 mA 2.4

Output LOW 2.2 < V_CC< 2.7 I_OL= 0.1 mA

0.4

Voltage

2.7 < V_CC< 3.6 I_OL= 2.1 mA

Input HIGH

Voltage

2.2 < V_CC< 2.7

1.8

2.2

V_CC1.8

V_CC

+ 0.3

2.7 < V_CC< 3.6

V_CC2.2

+ 0.3

V_CC2.2

+ 0.3

V_CC

+ 0.3

V_IL

I_IX

Input LOW

Voltage

2.2 < V_CC< 2.7

2.7 < V_CC< 3.6

GND < V_I< V_CC

−0.3

−1

0.6 −0.3

0.8 −0.3

0.6 −0.3

0.8 −0.3

0.6

0.8

Input

−1

+1 µA

10 mA

Leakage

Current

I_OZ

Output

GND < V_O< V_CC

Output Disabled

−1

Leakage

Current

I_CC

V_CC

f = f_MAX= 1/t_RCV_CC= 3.6V,

6.5

Operating

Supply

Current

I_OUT= 0 mA,

f = 1 MHz

0.85 1.5

CMOS level

I_SB1

Automatic CE CE > V_CC− 0.2V,

1.5

µA

Power-down

Current—

V_IN> V_CC− 0.2V, V_IN< 0.2V,

f = f_MAX(Address and

CMOS Inputs Data Only),

f = 0 (OE, WE, BHE and

BLE)

I_SB2

Automatic CE CE > V_CC− 0.2V,

1.5

Power-down V_IN> V_CC− 0.2V or

Current—

V_IN< 0.2V,

CMOS Inputs f = 0, V_CC= 3.6V

Notes:

5. V

= −2.0V for pulse durations less than 20 ns., V

= V +0.75V for pulse durations less than 20 ns.

IH(max.) CC

IL(min.)

6. Full device Operation Requires linear Ramp of V from 0V to V (min) & V must be stable at V (min) for 500 µs.

Document #: 38-05229 Rev. *D

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