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CY22E016L-SZ25CT

更新时间： 2024-11-26 20:41:55

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	557K
描述
Non-Volatile SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-28

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CY22E016L-SZ25CT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.26
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e4	长度：	17.905 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.67 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	7.505 mm
Base Number Matches：	1

CY22E016L-SZ25CT 数据手册

ADVANCE

INFORMATION

CY22E016L

16-Kbit (2K x 8) nvSRAM

• SOIC Package

Features

• RoHS Compliance

• 25 ns, 35 ns and 45 ns Access Times

Functional Description

• “Hands-off” Automatic STORE on Power Down with

only a small capacitor

The Cypress CY22E016L is a fast static RAM with a nonvol-

atile element incorporated in each static memory cell. The

SRAM can be read and written an unlimited number of times,

while independent, nonvolatile data resides in Nonvolatile

Elements. Data transfers from the SRAM to the Nonvolatile

Elements (the STORE operation) can take place automatically

on power down. A 68-µF or larger capacitor tied from V_CAPto

ground guarantees the STORE operation, regardless of

power-down slew rate or loss of power from “hot swapping”.

Transfers from the Nonvolatile Elements to the SRAM (the

RECALL operation) take place automatically on restoration of

power. A hardware STORE may be initiated with the HSB pin.

• STORE to QuantumTrap^®Nonvolatile Elements is

initiated by Hardware or Autostore^®on Power-down

• RECALL to SRAM Initiated on Power-up

• Unlimited READ, WRITE and RECALL Cycles

• 10 mA Typical I_CCat 200 ns Cycle Time

• 1,000,000 STORE Cycles to QuantumTrap

• 100-Year Data Retention to QuantumTrap

• Single 5V Operation +10%

• Industrial Temperature

Logic Block Diagram

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-06727 Rev. *A

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised February 22, 2006

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY22E016L-SZ25I	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY22E016L-SZ25IT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-28
CY22E016L-SZ25XC	CYPRESS	获取价格	16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ25XCT	CYPRESS	获取价格	16-Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ25XI	CYPRESS	获取价格	16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ25XIT	CYPRESS	获取价格	16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ35CT	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY22E016L-SZ35I	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-28
CY22E016L-SZ35IT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-28
CY22E016L-SZ35XC	CYPRESS	获取价格	16 Kbit (2K x 8) nvSRAM

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