5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CY14V116G7-BZ30XI
CY14V116G7-BZ30XI PDF预览

CY14V116G7-BZ30XI

更新时间： 2024-11-06 01:07:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 1729K
描述
16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface

阅读下载

中文翻译

获取价格

CY14V116G7-BZ30XI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LBGA,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.32
最长访问时间：30 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：17 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：165
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：1.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15 mm
Base Number Matches：1

CY14V116G7-BZ30XI 数据手册

 浏览型号CY14V116G7-BZ30XI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY14V116G7-BZ30XI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY14V116G7-BZ30XI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY14V116G7-BZ30XI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY14V116G7-BZ30XI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY14V116G7-BZ30XI的Datasheet PDF文件第7页 
CY14V116F7  
CY14V116G7  
16-Mbit nvSRAM  
with Asynchronous NAND Interface  
16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface  
Features  
Functional Description  
Cypress nvSRAM combines high-performance SRAM cells with  
nonvolatile elements in a monolithic integrated circuit. The  
■ 16-Mbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)  
❐ Performance up to 33 MT/s per I/O  
❐ Maximum data throughput using ×16 bus – 528 Mbps  
❐ Industry-standard asynchronous NAND Flash interface with  
reduced instruction set  
❐ Shared address, data, and command bus  
• Address and command bus is 8 bits  
• Command is sent in one or two command cycles  
• Address is sent in five address cycles  
• Data bus width is ×8 or ×16 bits  
embedded  
nonvolatile  
elements  
incorporate  
the  
Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon  
(SONOS)  
technology,  
producing the world’s most reliable nonvolatile memory. The  
SRAM can be read and written an infinite number of times. The  
nonvolatile data resides in the nonvolatile elements and does not  
change when data is written to the SRAM.  
The CY14V116F7/CY14V116G7 nvSRAM provides access  
through a standard asynchronous NAND interface and supports  
the ×8 and ×16 interface options. In the case of ×16 interface,  
data bytes are transmitted over the DQ[15:0] lines and has  
double the throughput compared to the DQ[7:0] bus. The  
CY14V116F7/ CY14V116G7 uses a highly multiplexed DQ bus  
to transfer data, addresses, and instructions. All addresses and  
commands are always transmitted over the data bus DQ[7:0].  
Therefore, in the case of the ×16 bus interface, the upper eight  
data bits DQ[15:8] become don’t care bits during the address and  
command cycles. The CY14V116F7/CY14V116G7 uses five  
control pins (CLE, ALE, CE, RE, and WE) to transfer command,  
address, and data during read and write operations. Additional  
I/O pins, such as write protect (WP), ready/busy (R/B), and HSB  
STORE, are used to support features in the device.  
■ Modes of operation:  
❐ Asynchronous NAND Interface I/O with 30-ns access time  
❐ Status Register with a software method for detecting the fol-  
lowing:  
• Nonvolatile STORE completion  
• Pass/Fail condition of previous command  
• Write protect status  
■ Hands-off automatic STORE on power-down with only a small  
capacitor  
■ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements is initiated by a  
software command, a dedicated hardware pin, or AutoStore on  
power-down  
The asynchronous NAND interface nvSRAM is aligned to a  
majority of the ONFI 1.0 specifications and supports data access  
speed up to 33 MHz.  
■ RECALL to SRAM initiated by software or power-up  
■ High reliability  
❐ Infinite read, write, and RECALL cycles  
❐ 1 million STORE cycles to QuantumTrap  
For a complete list of related documentation, click here.  
■ Data retention: 20 years at 85 C  
■ Operating voltage  
❐ Core VCC = 2.7 V to 3.6 V; I/O VCCQ = 1.70 V to 1.95 V  
■ 165-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package  
■ Industrial temperature: –40 C to +85 C  
■ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-75528 Rev. *K  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised January 5, 2018  
1234567...32

中文翻译

下载PDF

CY14V116G7-BZ30XI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14V116G7-BZ30XIT CYPRESS

完全替代

 16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface

与CY14V116G7-BZ30XI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY14V116G7-BZ30XIT CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface
CY14V116G7-BZ30XIT INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V116N CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM
CY14V116N-BZ30XI CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM
CY14V116N-BZ30XI INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V116N-BZ30XIT INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V116N-BZ45XI CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM
CY14V256LA_13 CYPRESS

获取价格

 		256-Kbit (32 K x 8) nvSRAM
CY14V256LA-BA35XI CYPRESS

获取价格

 		256-Kbit (32 K x 8) nvSRAM
CY14V256LA-BA35XI INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)

与CY14V116G7-BZ30XI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证