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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CSDD-25NBKLEADFREE
CSDD-25NBKLEADFREE PDF预览

CSDD-25NBKLEADFREE

更新时间： 2024-11-11 13:07:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 399K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)

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CSDD-25NBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：50 mA
最大漏电流：4 mA通态非重复峰值电流：250 A
最大通态电压：1.8 V最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CSDD-25NBKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CSDD-25NBKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CSDD-25M  
CSDD-25N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-25M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier  
designed for sensing circuit applications and control  
systems.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
CSDD-25M CSDD-25N UNITS  
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
600  
800  
V
A
DRM, RRM  
I
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
25  
260  
250  
310  
40  
T(RMS)  
Peak Non-Repetitive Surge Current, t=8.3ms  
Peak Non-Repetitive Surge Current, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
I
A
TSM  
I
A
A2s  
TSM  
I2t  
Peak Gate Power, tp=10μs  
P
GM  
W
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current, tp=10μs  
Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs  
Peak Reverse Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
4.0  
16  
W
G(AV)  
I
A
FGM  
V
V
FGM  
V
5.0  
100  
V
RGM  
di/dt  
A/μs  
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
60  
J
T
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
1.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V V  
DRM, RRM  
10  
4.0  
30  
DRM, RRM  
I
Rated V  
V T =125°C  
mA  
mA  
mA  
V
DRM, RRM  
DRM, RRM, C  
V =12V, R =10Ω  
4.2  
GT  
D
L
I =100mA  
12.5  
0.65  
50  
H
T
V
V
V =12V, R =10Ω  
1.50  
1.80  
GT  
D
L
I
=50A, tp=380μs  
2
V
TM  
TM  
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
200  
V/μs  
3
D
DRM, C  
R2 (17-February 2010)  
12

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与CSDD-25NBKLEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSDD-25NBKPBFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM),
CSDD-25NLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CSDD-25NTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
CSDD-25NTR13 CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D
CSDD-25NTR13PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM),
CSDD-8M CENTRAL

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-8M_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-8MBK CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D2
CSDD-8MBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)
CSDD-8MBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM),

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