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CSDD-8MBKLEADFREE

更新时间： 2024-09-25 20:09:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 399K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)

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CSDD-8MBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：15 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：20 mA最大漏电流：2 mA
通态非重复峰值电流：70 A最大通态电压：1.8 V
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
断态重复峰值电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CSDD-8MBKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CSDD-8MBKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CSDD-8M  
CSDD-8N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
8 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-8M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier  
designed for sensing circuit applications and control  
systems.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
CSDD-8M  
CSDD-8N  
UNITS  
V
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
600  
800  
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
I
8.0  
70  
A
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
Peak Gate Power, tp=10μs  
I
A
A2s  
TSM  
I2t  
24  
P
40  
W
GM  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current, tp=10μs  
Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs  
Peak Reverse Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
4.0  
16  
W
G(AV)  
I
A
FGM  
V
V
FGM  
V
5.0  
50  
V
RGM  
di/dt  
A/μs  
°C  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
60  
J
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
2.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V V  
DRM, RRM  
10  
2.0  
15  
DRM, RRM  
I
Rated V  
V T =125°C  
mA  
mA  
mA  
V
DRM, RRM  
DRM, RRM, C  
V =12V, R =10Ω  
3.0  
7.3  
0.9  
1.3  
GT  
D
L
I =100mA  
20  
H
T
V
V
V =12V, R =10Ω  
1.5  
1.8  
GT  
D
L
I
=16A, tp=380μs  
2
V
TM  
TM  
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
200  
V/μs  
3
D
DRM, C  
R2 (17-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSDD-8MBKPBFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM),
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 		暂无描述
CSDD-8MTIN/LEAD CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier,
CSDD-8MTR13 CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D2
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