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CSDD-8MTR13

更新时间: 2024-01-11 10:32:03
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CENTRAL 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 2941K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D2PAK-3

CSDD-8MTR13 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:15 mA最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:20 mA最大漏电流:2 mA
通态非重复峰值电流:70 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

CSDD-8MTR13 数据手册

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