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CSDD-8M PDF预览

CSDD-8M

更新时间： 2024-11-11 04:12:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS

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CSDD-8M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.11Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：15 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CSDD-8M 数据手册

 浏览型号CSDD-8M的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CSDD-8M  
CSDD-8N  
Semiconductor Corp.  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-8M  
series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled  
Rectifier designed for sensing circuit applications  
and control systems.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
CSDD  
-8M  
600  
CSDD  
-8N  
800  
UNITS  
V
A
A
A2s  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
I
I
8.0  
70  
24  
C
T(RMS)  
TSM  
Peak One Cycle Surge (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=10µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current (tp=10µs)  
Peak Forward Gate Voltage (tp=10µs)  
Peak Reverse Gate Voltage (tp=10µs)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Storage Temperature  
I2t  
P
P
I
V
V
di/dt  
40  
W
W
A
V
V
A/µs  
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
GM  
G (AV)  
FGM  
FGM  
RGM  
1.0  
4.0  
16  
5.0  
50  
T
T
Θ
Θ
-40 to +150  
-40 to +125  
60  
stg  
J
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
JA  
JC  
2.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
2.0  
15  
20  
1.5  
1.8  
UNITS  
µA  
mA  
mA  
mA  
V
I
I
I
I
V
V
I
I
Rated V  
Rated V  
V
DRM, RRM  
DRM, RRM  
, V  
, T =125°C  
DRM, RRM  
DRM RRM  
C
V =12V, R =10Ω  
3.0  
7.3  
0.9  
1.3  
GT  
H
GT  
TM  
D
L
I =100mA  
T
V =12V, R =10Ω  
D
L
I
=16A, tp=380µs  
2
V
V/µs  
TM  
dv/dt  
V = / V  
, T =125°C  
200  
3
D
DRM  
C
R1 (24-September 2004)  
12

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与CSDD-8M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSDD-8M_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-8MBK CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D2
CSDD-8MBKLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)
CSDD-8MBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM),
CSDD-8MLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CSDD-8MTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
CSDD-8MTR13 CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D2
CSDD-8N CENTRAL

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-8NBK CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D2
CSDD-8NBKLAEDFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)

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