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CSDD-12MTR13LEADFREE

更新时间： 2024-09-24 14:48:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 399K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 600V V(DRM)

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CSDD-12MTR13LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：20 mA
最大漏电流：3 mA通态非重复峰值电流：110 A
最大通态电压：1.6 V最大通态电流：12000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
断态重复峰值电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CSDD-12MTR13LEADFREE 数据手册

 浏览型号CSDD-12MTR13LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CSDD-12M  
CSDD-12N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-12M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier  
designed for sensing circuit applications and control  
systems.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted) SYMBOL  
CSDD-12M  
CSDD-12N  
UNITS  
V
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
600  
800  
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
I
12  
110  
60  
A
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
Peak Gate Power, tp=10μs  
I
A
A2s  
TSM  
I2t  
P
40  
W
GM  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current, tp=10μs  
Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs  
Peak Reverse Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
4.0  
16  
W
G(AV)  
I
A
FGM  
V
V
FGM  
V
5.0  
100  
V
RGM  
di/dt  
A/μs  
°C  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
60  
J
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
2.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V V  
DRM, RRM  
10  
3.0  
15  
DRM RRM  
,
I
Rated V  
V T =125°C  
DRM RRM, C  
,
mA  
mA  
mA  
V
DRM RRM  
,
V =12V, R =10Ω  
3.5  
8.7  
GT  
D
L
I =100mA  
20  
H
T
V
V
V =12V, R =10Ω  
0.64  
1.21  
1.50  
1.60  
GT  
TM  
D
L
I
=24A, tp=380μs  
2
V
TM  
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
200  
V/μs  
3
D
DRM  
C
,
R2 (17-February 2010)  
12

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与CSDD-12MTR13LEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSDD-12MTR13PBFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 600V V(DRM),
CSDD-12N CENTRAL

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-12NLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D
CSDD-16M CENTRAL

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 16 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-16M_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 16 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-16MBK CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 16000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme
CSDD-16MBKLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 600V V(DRM)
CSDD-16MLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D
CSDD-16MTR13LEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 600V V(DRM)
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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 16 AMP, 600 THRU 800 VOLTS

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